氫傳感器技術
英國女王貝爾法斯特大學(QUB)研制的這項新設備目前在位于謝菲爾德的EPSRC國家III-V實驗室制造。基本器件是將一個很薄的Pd條（長度〜160μm，寬度〜4μm且厚度<10nm）沉積在一個n-InP襯底上。該設備可以被定制用于〜10秒時間尺度、氫水平〜1％的檢測。該器件在標準的半導體加工設備采用標準的半導體制造技術制造，因此低成本是其突出特點。即使在非常溫和的光刻分辨率下（例如線寬度為4μm），也可生成非常有效的設備。
技術成熟度：實驗室成果
外方提議合作方式：合作研究或技術許可的方式合作。
